金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，晶芯成（北京）科技有限公司申请一项名为“一种Fin FET器件及其制造方法”的专利，公开号CN 119789479 A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本申请公开了一种Fin FET器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，Fin FET器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的鳍形结构，鳍形结构在第一方向延伸；阱区，位于鳍形结构的下部；STI结构，位于半导体衬底上，且位于相邻的阱区之间；栅叠层结构，在与第一方向相交的第二方向延伸，栅叠层结构横跨鳍形结构的上部，分别与鳍形结构上部的侧壁和顶部接触；以及源区和漏区，位于鳍形结构上部，且位于栅叠层结构两侧；其中，STI结构中具有气隙，气隙在第二方向延伸，且栅叠层结构位于STI结构表面的部分与STI结构中的气隙相对。本申请通过在STI结构中设置气隙，减小Fin FET器件的寄生电容。
天眼查资料显示，晶芯成（北京）科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本20万人民币，实缴资本20万人民币。通过天眼查大数据分析，晶芯成（北京）科技有限公司专利信息200条，此外企业还拥有行政许可1个。
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