【中信证券:美国对华先进存储限制再加码,倒逼高端存储产业链国产加速】金十数据1月18日讯,中信证券研报表示,1月15日晚间,BIS修订了《出口管理条例》(EAR),修改DRAM先进存储定义,工艺节点仍为18nm,存储单元面积及存储密度由24年12月的1ynm变为1xnm,同时增加TSV通孔数限制,对HBM和先进DRAM的限制再加码,倒逼产业链国产化加速。本次限制针对制造厂商及供应链,设计厂商业务正常开展,我们看好高端定制存储业务,持续推荐。同时我们认为,后续在本土高端封测厂商和设备厂商的配合下,国内DRAM原厂有望突破HBM,布局相关环节的厂商有望核心受益,看好高端存储产业链国产替代。
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