金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司申请一项名为“屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119342867 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法，至少包括：于具有外延层的衬底上形成第一沟槽单元及第二沟槽单元，于所述第一沟槽单元内形成第一介质层和第一多晶硅，于所述第二沟槽单元内壁形成组合栅介质层并填充第二多晶硅，所述组合栅介质层由内氧化硅、氮化硅及外氧化硅层叠构成，随后形成体区、源区及上金属层。内氧化硅厚度降低，减少了所述第二沟槽单元内壁两侧氧化硅和多晶硅之间的应力集中；同时，所述组合栅介质层有效减少了后续高温制程对于沟槽内壁界面应力集中的影响降低了晶圆翘曲的风险最后所述组合栅介质层拥有更高的介电常数，使得器件在低的阈值电压下拥有更高的栅极耐压能力，改善栅极漏电且提高了器件性能。

天眼查资料显示，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1685.2302万人民币，实缴资本1628.4247万人民币。通过天眼查大数据分析，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司共对外投资了4家企业，知识产权方面有商标信息13条，专利信息134条，此外企业还拥有行政许可3个。