金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市迪浦电子有限公司申请一项名为“一种超薄及大面积的大功率MOSFET芯片”的专利，公开号 CN 119342880 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明涉及一种超薄及大面积的大功率MOSFET芯片，所述MOSFET芯片包括有源区，所述有源区的条状的源极引线孔为间断设置，所述条状的源极引线孔的走向为横竖交替，将整条引线孔分割成若干长度更短的引线孔同，多段引线孔之间隔有介质层，经过引线孔刻蚀后，晶圆的微翘曲效应明显减轻，应力明显降低，引线孔刻蚀后的应力，可在水平及垂直方向相互抵消，翘曲问题消除，晶圆表面十分平整，芯片面积可以做得更大，且不会出现晶圆微翘曲及应力问题，晶圆减薄厚度可以更薄，而不会增加减薄碎片率，产品比导通电阻更低、热阻更低、功率密度更大。

天眼查资料显示，深圳市迪浦电子有限公司，成立于2007年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币，实缴资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市迪浦电子有限公司共对外投资了1家企业，知识产权方面有商标信息13条，专利信息31条，此外企业还拥有行政许可8个。