有投资者向时代电气提问， 2024 年 12 月发布 1200V SiC MOSFET 工程样品，效率较 IGBT 提升 5%，损耗降低 15%。请问该样品目前是否已经进入客户试用阶段？客户反馈如何？预计何时能实现量产？ 什么时候会启动 8 英寸 SiC 衬底研发？公司回答表示，尊敬的投资者您好！公司正在加强SiC相关产品的研发和制造。
网页链接免责声明：投资有风险，本文并非投资建议，以上内容不应被视为任何金融产品的购买或出售要约、建议或邀请，作者或其他用户的任何相关讨论、评论或帖子也不应被视为此类内容。本文仅供一般参考，不考虑您的个人投资目标、财务状况或需求。TTM对信息的准确性和完整性不承担任何责任或保证，投资者应自行研究并在投资前寻求专业建议。