IT之家 4月9日消息，根据首尔经济日报报道，三星电子开始研发1.0nm晶圆代工工艺，以图在与台积电的竞争中实现“技术翻盘”。

▲ 三星、台积电预测路线图，图源首尔经济日报

根据该日报报道，三星电子半导体研究所近日正式着手研发1.0nm工艺，部分曾参与2nm等尖端制程的研发人员被抽调，组建了专项项目团队。在目前三星公开的晶圆代工工艺路线图中，计划于2027年量产的1.4nm工艺为目前最尖端的工艺。

根据该日报所述，1nm工艺需要打破现有设计框架，引入新技术概念，以及引入高数值孔径极紫外（High-NA EUV）曝光设备等下一代设备。三星预计，量产时间将在2029年之后。

目前，三星在量产中的3nm工艺，以及预计在今年量产的2nm工艺，首尔经济日报认为技术上仍落后于台积电，尤其是2nm工艺方面，台积电的良率已突破60%，存在显著差距。因此，三星对1nm工艺寄予厚望，三星会长李在镕上月向高管们强调要“延续重视技术的传统”，并表示“以前所未有的技术引领未来”。

根据IT之家此前援引韩媒The Bell报道，三星目前最新的2nm SF2工艺初始良率“高于预期”，搭载该工艺的Exynos 2600芯片试产良率为30%。