金融界2025年4月28日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“超级结器件的制造方法”的专利，公开号CN119894029A，申请日期为2025年1月。专利摘要显示，本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种超级结器件的制造方法。超级结器件的制造方法包括以下步骤：提供半导体基底层，半导体基底层包括芯片区和隔离在芯片区之间的划片槽区，芯片区的半导体基底层中形成...
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